삼성전자가 세계 최초로 20나노 공정을 적용한 8기가비트(Gb) 저전력(LP) DDR4 모바일 D램을 양산한다고 23일 밝혔다.
20나노 8기가비트 LPDDR4 모바일 D램은 칩 4개만으로 모바일 D램 최대 용량인 4기가바이트(GB)를 구성할 수 있는 제품이다. 독자 개발한 LVSTL(Low Voltage Swing Terminated Logic) 기술로 일반 PC D램(1600Mb/s) 보다 2배 빠른 3200Mb/s로 데이터를 처리한다. 이를 통해 스마트폰에서도 울트라HD급 동영상과 2000만화소 이상의 초고화질 사진을 연속으로 촬영할 수 있게 될 전망이다.
이 제품은 내년 미국 라스베이거스에서 열리는 소비자 가전쇼(CES) 2015에서 이미 혁신상을 수상했다.
삼성전자는 이번 양산으로 기존 공급한 2, 3기가바이트 LPDDR4 D램에 이어 내년 4기가바이트 제품을 본격 공급함으로써 글로벌 모바일 제조사들에게 초고속, 초절전, 고용량 솔루션을 제공할 수 있게 됐다고 밝혔다. 최주선 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀 부사장은 "차세대 플래그십 모바일 기기를 적기에 출시하는 데 크게 기여하게 됐다”며 "기술 협력을 강화해 새로운 운영체제(OS) 환경에 최적화된 D램 솔루션을 제공할 것”이라고 밝혔다.
[매경닷컴 김용영 기자]
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