삼성전자가 조만간 미 텍사스 오스틴 공장에서 300mm 웨이퍼 생산라인 양산에 들어갑니다.
삼성전자는 이번 생산라인이 기존 200mm 라인에 이은 미국의 두번째 반도체 생산 시설로 늦어도 다음달 본격 가동에 들어갈 것이라고 밝혔습니다.
삼성전자는 앞으로 200㎜ 라인에서는 D램 생산을, 300㎜ 라인에서는 50나노급 이하의 낸드플래시 등 차세대 메모리 생산에 집중할 계획입니다.
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삼성전자는 이번 생산라인이 기존 200mm 라인에 이은 미국의 두번째 반도체 생산 시설로 늦어도 다음달 본격 가동에 들어갈 것이라고 밝혔습니다.
삼성전자는 앞으로 200㎜ 라인에서는 D램 생산을, 300㎜ 라인에서는 50나노급 이하의 낸드플래시 등 차세대 메모리 생산에 집중할 계획입니다.
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