하이닉스반도체가 내년 초 세계에서 처음으로 40나노급 낸드플래시 메모리 양산을 시작합니다.
하이닉스는 최근 48나노 공정을 적용한 16기가비트 낸드플래시 제품 개발을 끝내고 이달 중 샘플을 고객사에 공급한 뒤 내년 1월 본격 양산에 들어갈 예정이라고 밝혔습니다.
하이닉스는 1월에는 투입되는 웨이퍼 기준으로 수천장 선에서 양산을 시작하고, 1분기 안에 월 평균 1만 5천-2만장 규모까지 생산량을 늘릴 방침입니다.
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하이닉스는 최근 48나노 공정을 적용한 16기가비트 낸드플래시 제품 개발을 끝내고 이달 중 샘플을 고객사에 공급한 뒤 내년 1월 본격 양산에 들어갈 예정이라고 밝혔습니다.
하이닉스는 1월에는 투입되는 웨이퍼 기준으로 수천장 선에서 양산을 시작하고, 1분기 안에 월 평균 1만 5천-2만장 규모까지 생산량을 늘릴 방침입니다.
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