세계에서 가장 작은 8nm 메모리 개발

세계에서 가장 작은 8나노미터급 비휘발성 플래시 메모리 소자가 국내 연구진에 의해 개발됐습니다.
기존 메모리보다 25배 가량 집적도를 높일 수 있어 상용화될 경우 산업 파급 효과가 크다고 합니다.
김경기 기자가 보도합니다.

8nm는 어른 머리카락 두께의 1만2천분의 1에 불과한 아주 작은 크기입니다.

한국과학기술원 최양규 교수팀은 나노종합팹센터와 공동으로 8nm급 플래시 메모리 소자 기술 확보에 성공했다고 밝혔습니다.

지난해 삼성전자에 의해 개발돼 상용화된 40nm급 메모리보다도 5배나 작습니다.

인터뷰 : 최양규 / 한국과학기술원 교수
-"집적도 측면에서 지금까지 연구성과보다 25배까지 높일 수 있는 극한 소자를 만들어냈고 그 소자가 메모리 기능을 확실하게 보여줬습니다"

이를 위해 최 교수팀은 자신이 보유하고 있는 3nm급 트랜지스터 기술과 삼성전자의 비휘발성 메모리 기술을 접목시켯습니다.

이번 성과는 본격적인 테라비트 메모리의 서막을 열었다는 점에서 그 의의가 큽니다.

또 반도체 집적도가 1년에 2배씩 늘어난다는 이른바 '황의 법칙'을 10nm급 아래까지 적용시킬 수 있게 됐습니다.

과학기술부는 이번 연구 성과가 상용화될 경우 10년간 250조원의 시장 창출 효과가 있을 것으로 내다보고 있습니다.

그러나 전기 정보를 저장하는 ONO라는 물질의 두께를 최대한 얇게 만들고 대체 절연막을 찾는 연구가 뒤따라야 하는 등 아직 넘어야 할 산이 많다는 설명입니다.

한편 이번 연구 성과는 오는 6월 일본에서 개막되는 국제 학술회의인 '초고집적회로 국제학회'에 발표될 예정입니다.

mbn 뉴스 김경기입니다.