삼성전자와 하이닉스반도체가 올 상반기부터 60나노 공정을 도입한 D램 양산에 들어갈 계획인 것으로 확인됐습니다.
지난해 50나노 D램 제조 기술을 개발한 삼성전자는 이르면 올해 3월 60나노 D램 양산에 들어간다는 계획입니다.
하이닉스도 이르면 5월부터 60나노 D램의 본격 양산할 계획이어서 메모리 반도체 시장에서 국내 기업들의 주도권은 더욱 강화될 전망입니다.
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지난해 50나노 D램 제조 기술을 개발한 삼성전자는 이르면 올해 3월 60나노 D램 양산에 들어간다는 계획입니다.
하이닉스도 이르면 5월부터 60나노 D램의 본격 양산할 계획이어서 메모리 반도체 시장에서 국내 기업들의 주도권은 더욱 강화될 전망입니다.
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