삼성전자, 45나노 임베디드 플래시 로직 공정 개발

삼성전자는 업계 최초로 45나노 임베디드 플래시 로직 공정과 이를 적용한 스마트카드IC 테스트 칩 개발에 성공했다고 밝혔습니다.
임베디드 플래시 로직 공정은 시스템 반도체 회로 안에 전원이 끊겨도 데이터를 기억하는 플래시메모리 회로를 구현한 것입니다.
삼성전자가 이번에 개발에 성공한 45나노 스마트카드 IC테스트 칩은 기존 80나노 공정 제품과 비교했을 때 소모전력을 25% 절감했고 데이터를 읽어 오는 시간은 50%나 줄여 생산성이 높아졌습니다.
삼성전자는 45나노 임베디드 플래시 공정을 적용한 스마트카드IC를 2014년 하반기부터 양산할 예정입니다.