하이닉스, 세계 최초 2Gb 모바일 D램 개발

하이닉스반도체가 54나노 기술을 적용한 2기가 비트 모바일 D램 제품을 세계 최초로 개발해 내년 상반기부터 양산할 예정이라고 밝혔습니다.
이 제품은 세계 최초로 54나노 초미세 공정이 적용된 2기가비트 고용량 제품으로, 현재 최대 용량인 1기가 비트 제품보다 2배의 용량을 구현할 수 있습니다.
전력 소비도 기존 메모리 제품의 8분의 1에 불과해 휴대전화, 디지털 카메라, MP3 재생기, 내비게이션 등의 제품에 적합하다고 하이닉스는 설명했습니다.