하이닉스, 세계 최초 3중셀 32기가 낸드플래시 개발

하이닉스반도체는 세계 최초로 3중셀 기술을 적용한 32기가비트 낸드플래시 메모리 개발에 성공했다고 밝혔습니다.
3중셀은 하나의 셀에 세 개의 정보를 담을 수 있는 첨단 기술로 기존 제품보다 칩 면적을 30% 이상 축소해 원가를 절감할 수 있습니다.
하이닉스는 이 기술을 기반으로 16기가비트 양산 적용에 한정됐던 48나노 공정기술을 32기가비트 제품까지 확대 적용해 오는 10월부터 양산에 들어갈 예정입니다.