하이닉스반도체는 세계 최고속, 최소형 1Gb(기가 비트) 모바일 D램 개발에 성공해 내년 1분기 생산에 들어간다고 밝혔습니다.
모바일 D램은 주로 휴대전화에 쓰이는 메모리로, 컴퓨터에 장착되는 메인 메모리 전력의 0.01% 정도만 사용하도록 설계돼 있습니다.
하이닉스 측은 D램 크기가 획기적으로 줄어 다양한 초소형 전자기기와 메모리 제품에 적용이 가능할 것이라고 설명했습니다.
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모바일 D램은 주로 휴대전화에 쓰이는 메모리로, 컴퓨터에 장착되는 메인 메모리 전력의 0.01% 정도만 사용하도록 설계돼 있습니다.
하이닉스 측은 D램 크기가 획기적으로 줄어 다양한 초소형 전자기기와 메모리 제품에 적용이 가능할 것이라고 설명했습니다.
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