한미연구진, 5㎚ 실리콘나노선 플래시 개발

선폭이 5 나노미터(nm) 이하의 실리콘 나노선과 기존의 메모리 소자 기술을 결합시켜 성능과 집적도를 크게 향상시킨 비휘발성 메모리 소자가 한미 공동연구진에 의해 개발됐습니다.
구상모 광운대 교수는 미 국립표준연구원 연구진과 함께 5나노미터 (nm) 실리콘 나노선을 결합시킨 하이브리드 구조의 비휘발성 메모리 소자를 개발했다고 밝혔습니다.
연구결과는 영국 물리학회가 발행하는 저널 '나노테크놀러지' 온라인판에 지난달 발표됐으며 이달 인쇄판에도 실릴 예정입니다.