SK하이닉스 4배 빠른 모바일D램 개발

SK하이닉스가 기존 LPDDR4에 비해 처리 속도가 4배 빨라진 차세대 모바일 D램을 선보였다.
SK하이닉스는 3일 모바일 D램의 한 종류인 '와이드 IO2'를 업계 최초로 개발했다고 밝혔다. 와이드 IO2는 국제전기전자표준협회에서 표준화를 진행 중인 차세대 고성능 모바일 D램의 한 종류다.
와이드 IO2는 LPDDR4와 같은 1.1V 전압에서 전력 효율이 높으며 정보가 이동하는 통로를 늘려 처리속도가 빠르다. 기존 LPDDR4의 경우 3200Mbps 속도로 동작해 32개의 정보입출구로 초당 12.8GB의 데이터 처리가 가능하지만 와이드 IO2는 하나의 정보 입·출구에서 800Mbps 의 속도로 동작하지만 512개의 정보출입구로 초당 51.2GB의 데이터를 처리할 수 있다.
SK하이닉스는 이 제품 샘플을 주요 시스템 온 칩(SoC) 업체에 전달했다. 해당 회사들은 와이드 IO2를 포함해 여러가지 기능을 가진 반도체를 하나의 패키지로 구성한 제품을 시장에 내놓을 예정이다. SK하이닉스는 내년 하반기부터 본격 양산을 시작한다.

김진국 SK하이닉스 모바일 개발본부장은 "와이드 IO2 제품을 통해 확대되는 고성능 모바일 D램에 대한 고객의 요구를 만족시킬 것”이라며 "향후에도 지속적으로 고성능, 저전력 제품을 개발해 모바일 D램 시장의 기술 주도권을 확보해 나가겠다”고 말했다.
SK하이닉스는 지난해 12월과 올해 4월 업계 최초로 TSV(실리콘관통전극) 기술 기반의 HBM(초고속 메모리)과 128GB 서버용 모듈을 개발해 상품화를 진행 중에 있다.
[이진명 기자]