삼성전자, 세계최초 TSV 적층 기술 적용 64GB DDR4 D램 양산 시작

삼성전자가 세계 최초로 3차원 실리콘 관통전극(TSV : Through Silicon Via) 적층 기술을 적용한 64GB 차세대 DDR4(Double Data Rate 4) 서버용 D램 모듈 양산에 들어갔다.
TSV는 기존 금선을 이용해 칩을 연결하는 대신, 칩에 미세한 구멍을 뚫어 칩 상하단을 전극으로 연결하는 기술이다. 따라서 기존 와이어(금선)를 이용한 패키징 방식에 비해 속도와 소비전력을 크게 개선할 수 있다.
27일 삼성전자에 따르면 이번 양산에 들어간 64GB DDR4 D램 모듈은 20나노급 4Gb D램 칩 144개로 구성된 대용량 제품으로 최첨단 3차원 TSV 기술로 4기가비트 D램을 4단으로 쌓아 만든 4단 칩 36개를 탑재했다.
삼성전자는 2010년 세계 최초로 TSV기반 D램 모듈을 개발하고 글로벌 서버 고객과 기술 협력을 추진한 데 이어, 올해는 TSV 전용 라인을 구축하고 양산 체제에 돌입함으로써 새로운 시장 창출에 나섰다.

특히 삼성전자는 이번 64GB 대용량 서버용 DDR4 모듈과 올해 하반기 출시되는 글로벌 IT업체들의 차세대 서버용 CPU를 연계해 DDR4 신규시장을 적극 공략해 나갈 예정이다.
또한 삼성전자는 작년 세계 최초로 3차원 V낸드플래시를 양산하고 이번에는 업계 최초로 DDR4 D램에 TSV 기술을 적용한 차세대 제품을 양산함으로써 '3차원 메모리반도체 시대'를 주도하게 됐다.
메모리사업부 메모리 마케팅팀 백지호 상무는 "이번 TSV기반 D램 모듈 양산으로 하반기 업계 차세대 CPU 출시에 맞춘 초절전 솔루션을 제공하고 프리미엄 DDR4 D램 시장을 선점할 수 있게 됐다"며 "향후 3차원 메모리 반도체 기술을 기반으로 차세대 라인업을 한 발 앞서 출시해 제품 경쟁력을 강화하는 한편 글로벌 메모리 시장이 지속 성장하는데 주도적인 역할을 할 것"이라고 말했다.
삼성전자는 하반기 서버 D램 시장이 DDR3 D램에서 DDR4 D램으로 전환되는 트랜드에 맞춰 3차원 TSV 기술을 적용한 64GB이상의 고용량 DDR4 모듈도 출시해 프리미엄 메모리 시장을 더욱 확대해 나갈 예정이다.
한편 시장조사기관에 따르면 올해 D램 시장은 386억달러이며 이중 서버 시장이 20% 이상의 비중을 차지할 것으로 전망하고 있다. 특히 클라우딩 컴퓨터의 비중이 지속 증대되고, 서버 시스템에 탑재되는 소프트웨어 종류도 늘고 있어 향후 고성능 서버에서 고용량 D램의 요구가 증가될 것으로 전망된다.
[매경닷컴 이상규 기자] 사진 제공 : 삼성전자