삼성전자, 세계 첫 3나노 반도체 양산…"대만 TSMC와 초격차 벌린다"

【 앵커멘트 】
1나노는 10억분의 1미터를 뜻하는 단위죠.
삼성전자가 세계 최초로 새로운 방식의 트랜지스터에 회로선폭 3나노급 반도체를 양산하기 시작했습니다.
메모리 반도체 1위인 삼성전자는 대만 TSMC와 가 절반을 점유 중인 반도체 위탁생산에서도 초격차를 벌려나간다는 계획입니다.
박은채 기자입니다.


【 기자 】
삼성전자 연구원들이 3나노 반도체 실물을 들고 무대로 나옵니다.

세계 최초로 '게이트 올 어라운드(Gate All Around)' , GAA 방식을 적용했습니다.

차세대 트랜지스터 GAA는 전류가 흐르는 채널 4면을 게이트가 모두 둘러싸고 있어, 전류 를 보다 효율적으로 제어합니다.

▶ 인터뷰 : 경계현 / 삼성전자 DS부문장
- "고성능, 저전력 반도체에 대한 수요가 빠르게 증가하고 있습니다. GAA 기술은 전력효율과 성능향상을 지속적으로 이어가는 데 필요한 핵심 기술로서…."

회로선폭 3나노 양산도 세계 최초입니다.

▶ 스탠딩 : 박은채 / 기자
- "삼성전자는 3나노 GAA 공정을 고성능 컴퓨팅(HPC)과 모바일 제품군에 적용할 계획입니다."

3나노 GAA 공정은 기존 5나노 핀펫 공정보다 전력은 46% 덜 소모하고 성능은 23% 높아집니다.

다만 공정을 안정화해 수율을 높여야 하는 최종 과제는 남아 있습니다.

반도체 위탁생산 1위인 대만 TSMC도 하반기에 3나노 반도체를 내놓을 계획입니다.

공정은 기존 핀펫 방식 그대로입니다.

▶ 인터뷰(☎) : 김양팽 / 산업연구원 전문연구원
- "첨단공정을 적용해서 제품을 만들 수 있는 기업이 삼성전자밖에 없다고 하면 그 제품을 주문하는 기업들이 삼성에 갈 수밖에 없잖아요."

초격차를 벌려야 하는 반도체 기술의 무한경쟁은 더 치열해질 전망입니다.

MBN뉴스 박은채입니다.

[ icecream@mbn.co.kr ]

영상취재: 전범수·라웅비 기자
영상편집: 이유진