삼성전자 "4나노 2세대 개발 착수…5나노 하반기 양산"

삼성전자가 반도체 파운드리(위탁생산) 사업과 관련해 4나노(nm) 공정을 건너뛰고 3나노 생산에 들어갈 것이라는 시중의 루머를 "사실무근"이라고 일축하며 4나노 2세대 공정 개발에 들어갔다고 밝혔다.
삼성전자는 30일 진행한 컨퍼런스콜에서 삼성전자가 4나노 반도체 생산을 건너뛰고 3나노로 직행할 것이라는 시중의 예상에 대해 "4나노 개발 중단 루머는 사실무근"이라고 말하고, "현재 4나노 1세대 공정개발과 양산 준비를 차질없이 진행 중이며, 현재 4나노 2세대 공정을 개발하고 있다"고 설명했다.
5나노 공정에 대해서는 "2분기에 이미 5나노 제품에 대한 양산에 착수했다"며 "하반기에 고객을 확대해 본격적으로 대량 양산 체제에 들어갈 것"이라고 말했다. 삼성전자는 대만의 세계 최대 파운드리 업체 TSMC와 반도체 초미세화 공정 개발을 놓고 경쟁을 벌이고 있다.
나노 단위가 적을수록 생산성이 극대화 되는 것으로, 삼성전자는 EUV(극자외선) 노광 기술을 통해 2019년 상반기 5나노 공정 개발을 완료했다.

대만의 TSMC는 삼성에 앞서 현재 퀄컴·AMD 등 글로벌 팹리스(반도체 설계회사) 업체의 5나노 제품을 생산 중이다. 2022년 이후에는 3나노 제품을 출시하겠다는 로드맵도 갖고 있다.
최근 외신을 통해 삼성이 생산한 5나노 반도체의 수율(생산 제품 가운데 양품 비율)이 떨어진다는 지적에 대해서는 "수율은 기존 계획대로 개선을 진행하고 있다"고 답변했다.
반도체의 수율은 제조 순서에 따라 웨이퍼 가공, 조립 등 4종의 수율을 합친 누적 수율로 판단한다.
국제반도체표준협의기구(JEDEC)가 이달 16일 PC·서버용 DDR5 D램 규격을 공개한 가운데, 삼성전자는 이 기준에 맞는 DDR5를 올해 하반기에 출시한다는 계획이다.
[김승한 기자 winone@mkinternet.com]