삼성전자는 세계 최초로 60나노급 공정을 적용한 2기가비트 DDR2 D램 개발에 성공하고 인텔 인증을 획득했다고 밝혔습니다.
이번에 개발한 60나노급 2기가 D램은 2004년 개발한 80나노 2기가 D램의 최대 속도보다 20% 가량 성능이 향상된 800Mbps 구현이 가능하고, 생산성도 40% 이상 올라간다고 삼성전자는 설명했습니다.
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이번에 개발한 60나노급 2기가 D램은 2004년 개발한 80나노 2기가 D램의 최대 속도보다 20% 가량 성능이 향상된 800Mbps 구현이 가능하고, 생산성도 40% 이상 올라간다고 삼성전자는 설명했습니다.
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