SK하이닉스 美서 차세대 초고속메모리 심포지엄

SK하이닉스는 18일(현지시간) 미국 캘리포니아 산호세에서 2014 SK하이닉스 초고속 메모리 심포지엄을 열고 고부가가치 메모리 시장 선도에 나섰다.
　SK하이닉스는 이번 심포지엄에서 중장기 초고속 메모리 로드맵을 소개하고 다양한 응용 분야의 고객들과 초고속 메모리 생태계 확대를 위한 협력을 모색했다. 특히 SK하이닉스의 초고속 메모리 개발에 협력 중인 회사들도 직접 발표자로 참여해 심포지엄에 의미를 더했다.
　SK하이닉스는 지난해 말 TSV(실리콘관통전극) 기술을 적용한 초고속 메모리를 업계 최초로 개발한 바 있다. 이번에 소개한 초고속 메모리는 TSV 기술을 활용해 20나노급 D램을 4단 적층한 형태다. 1.2V 동작전압에서 1Gbps 처리 속도를 구현할 수 있어 초당 128GB의 데이터 처리가 가능하다. 고사양 그래픽 시장 채용을 시작으로 향후 네트워크, 슈퍼컴퓨터, 서버 등으로 응용 범위가 확장될 수 있다.
　강선국 SK하이닉스 미국 법인 기술마케팅 담당 수석은 "다양한 응용 분야의 고객 및 파트너들과 초고속 메모리에 대한 상호 이해를 높일 수 있는 좋은 기회였다"며 "협력 관계를 더욱 강화해 차세대 고성능, 저전력, 고용량 제품 시장을 선도해나가겠다"고 밝혔다.
[이진명 기자]