삼성전자는 '3D-TSV' 기술을 적용한 초고속 엔터프라이즈 서버용 32GB D램 모듈을 업계 최초로 개발했다고 밝혔습니다.
'3D-TSV' 기술은 극도로 얇게 만든 실리콘칩에 직접 구멍을 뚫고 동일한 칩을 수직으로 쌓아 관통 전극으로 연결하는 패키징 기법으로, 속도와 용량 등 반도체의 성능을 크게 향상시키게 됩니다.
반해 이번에 개발한 모듈을 탑재한 서버는 기존보다 67% 빠른 고속 동작을 구현할 수 있으며 전력 소비도 30%이상 줄였습니다.
'3D-TSV' 기술은 극도로 얇게 만든 실리콘칩에 직접 구멍을 뚫고 동일한 칩을 수직으로 쌓아 관통 전극으로 연결하는 패키징 기법으로, 속도와 용량 등 반도체의 성능을 크게 향상시키게 됩니다.
반해 이번에 개발한 모듈을 탑재한 서버는 기존보다 67% 빠른 고속 동작을 구현할 수 있으며 전력 소비도 30%이상 줄였습니다.
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