한국 연구팀, 10배 빠른 차세대메모리 소개 개발

국내 연구팀이 차세대 자성 메모리(MRAM)의 속도 및 집적도를 동시에 향상시킬 수 있는 소재기술 개발에 성공했다. 기존 MRAM 기술보다 10배 이상 빠르면서도 전력은 10분의 1 정도만 사용하는 것이 특징이다.
실리콘 기반인 기존 반도체 메모리와 달리 자성메모리(MRAM)는 얇은 자성 박막으로 만든다. 외부 전원 공급이 없어도 정보를 유지할 수 있으며 빠른 동작과 높은 집적도가 특징으로 ‘차세대 메모리로 주목을 받고 있다.
KAIST 박병국 교수, 고려대 이경진 교수 공동연구팀은 MRAM에 이리듐-망간(IrMn) 합금과 같은 새로운 소재를 도입했다. 기존 기술로 만들었을 때에 비해 동작속도를 10배 이상 높일 수 있었다. 동시에 집적도도 높일 수 있었다. 기존 MRAM 기술에선 동작속도를 높이면 집적도가 떨어지는 문제가 있었는데 이 속도와 집적도의 딜레마를 해결한 것이다. 연구 결과는 나노기술 분야 최고 권위의 학술지인 네이처 나노테크놀로지 11일자에 게재됐다.
연구팀이 만든 새로운 MRAM은 컴퓨터 또는 스마트폰에 쓰이는 SRAM보다 10배 이하로 전력 소모를 낮출 수도 있었다. 저전력을 요구하는 모바일, 웨어러블 또는 사물인터넷(IoT)용 메모리로 활용할 가능성이 높다.
박 교수는 차세대 메모리로서 각광받고 있는 MRAM의 구현 가능성을 한 걸음 더 발전시킨 것에 의미가 있다”며 추가 연구를 통해 기록성능이 뛰어난 신소재 개발에 주력할 예정”이라고 밝혔다.
[이영욱 기자]