경제
권오철 "20나노급 D램 내년 초부터 양산"
입력 2011-10-12 16:13 
권오철 하이닉스반도체 사장은 연말까지 20나노급 D램 개발을 마치고 내년 초부터 양산을 시작할 것이라고 밝혔습니다.
일산 킨텍스에서 열린 한국전자산업대전에 참석한 권 사장은 기자들과 만나 이 같은 계획을 밝히고, 국내 경쟁사보다는 다소 늦지만 예정보다는 빠르다고 설명했습니다.
30나노급 D램에 대해서는 연말까지 비중을 40%로 올리겠다며 내년 상반기에는 60%까지 끌어올리도록 할 것이라고 밝혔습니다.
권 사장은 30나노급 공정 전환에 상반기 고생을 많이 했지만, 하반기에는 진도가 잘 나가고 있다며 특히 지금까지 개발해 온 기술 중에 수율 향상 속도가 가장 빠르다고 설명했습니다.
이어 D램가격이 하락해 최근 경영에 어려움이 많이 겪었다며 앞으로 전망은 확실하지 않지만, 다소 좋아질 수 있다고 본다고 말했습니다.
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